ترانزیستورها ( Transistors )
ترانزیستورها نیمه هادی های سه ترمینالی هستند که از کنترل های سیگنال ورودی برای خروجی جریان استفاده می کنند. آنها معمولاً برای تقویت و سوئیچینگ کاربرد دارند.
معادل انگلیسی ترانزیستورها Transistors می باشد.
زیر مجموعه های ترانزیستورها ( Transistors )
FET نیمه هادی اکسید فلز (MOSFET) (Metal-Oxide Semiconductor FET (MOSFET))
FET نیمه هادی اکسید فلز (MOSFET) دستگاه های سوئیچینگ الکترونیکی با یک کانال رسانا به عنوان خروجی هستند. الکترودی به نام گیت، عرض کانال را کنترل می کند و تعیین می کند که ماسفت چقدر خوب هدایت می کند.
ترانزیستور RF MOSFET (RF MOSFET Transistors)
ترانزیستورهای RF ماسفت ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی (MOSFET) هستند که برای کنترل سیگنال های RF پرقدرت از دستگاه هایی مانند تقویت کننده های استریو، فرستنده های رادیویی، مانیتورهای تلویزیون و غیره طراحی شده اند.
ترانزیستور دارلینگتون (Darlington Transistors)
ترانزیستورهای دارلینگتون (جفت دارلینگتون) دستگاه های نیمه هادی هستند که دو ترانزیستور دوقطبی را در یک دستگاه واحد ترکیب می کنند. آنها بهره جریان بالایی را ارائه می دهند (معمولاً ß نوشته می شود) و به فضای کمتری نسبت به پیکربندی هایی که از دو ترانزیستور مجزا استفاده می کنند نیاز دارند.
ترانزیستورها (Transistors)
ترانزیستورها وسایل الکترونیکی ساخته شده از مواد نیمه هادی هستند که سیگنال را تقویت می کنند یا مدار را باز یا بسته می کنند.
ترانزیستورهای RF (RF Transistors)
ترانزیستورهای RF برای کنترل سیگنال‌های فرکانس رادیویی پرقدرت (RF) در دستگاه‌هایی مانند تقویت‌کننده‌های استریو، فرستنده‌های رادیویی و مانیتورهای تلویزیون طراحی شده‌اند.
ترانزیستورهای RF دوقطبی (Bipolar RF Transistors)
ترانزیستورهای RF دوقطبی از یک لایه نوع N یا P تشکیل شده اند که بین دو لایه از نوع مخالف قرار گرفته است. آنها برای کنترل سیگنال های فرکانس رادیویی پرقدرت (RF) در دستگاه هایی مانند تقویت کننده های استریو، فرستنده های رادیویی و مانیتورهای تلویزیون طراحی شده اند.
ترانزیستورهای اثر میدان اتصال (JFET) (Junction Field-Effect Transistors (JFET))
ترانزیستورهای اثر میدان اتصال (JFET) از یک کانال نیمه هادی تشکیل شده اند که در آن عرض و رسانایی کانال توسط ناحیه شارژ فضا مرتبط با ناحیه pn کنترل می شود.
ترانزیستورهای دوقطبی سیگنال کوچک (BJT) (Small-Signal Bipolar Transistors (BJT))
ترانزیستورهای دوقطبی سیگنال کوچک (BJT) نیمه هادی هایی هستند که سیگنال های کوچک AC یا DC را تقویت می کنند. آنها از یک لایه پایه نوع n یا p تشکیل می شوند که بین لایه های امیتر و کلکتور از نوع مخالف قرار گرفته است.
ترانزیستورهای دوقطبی قدرت (Power Bipolar Transistors)
ترانزیستورهای دوقطبی قدرت نیمه هادی هایی هستند که در آنها یک لایه پایه نوع n یا نوع p بین لایه های امیتر و کلکتور از نوع مخالف قرار می گیرد. اتصالات بین بخش های نیمه هادی سیگنال های الکتریکی ورودی ضعیف را تقویت می کند.
ترانزیستورهای دوقطبی گیت عایق (IGBT) (Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT))
ترانزیستورهای دوقطبی گیت عایق (IGBT) ترانزیستورهای دوقطبی با گیت عایق هستند. آنها مزایای ترانزیستور دوقطبی (ولتاژ و جریان بالا) را با مزایای ماسفت (مصرف برق کم و سوئیچینگ بالا) ترکیب می کنند.
ماسفت پاور (Power MOSFET)
ماسفت پاور دستگاه های حامل اکثریت هستند که امپدانس ورودی بالایی دارند و اثرات ذخیره سازی حامل اقلیت، فرار حرارتی یا خرابی ثانویه را نشان نمی دهند. ماسفت های قدرت ولتاژ شکست بالاتری نسبت به ترانزیستورهای پیوند دوقطبی (BJT) دارند و می توانند در کاربردهای فرکانس بالاتر که تلفات برق سوئیچینگ مهم هستند، استفاده شوند.