حافظه مقاومتی مغناطیسی (MRAM)

حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی مغناطیسی (MRAM) با استفاده از بارهای مغناطیسی، بیت های داده را ذخیره می کند. MRAM برای دستگاه های با چگالی بالا، سرعت بالا و غیر فرار طراحی شده است و پتانسیل جایگزینی حافظه DRAM و Flash (EEPROM) را دارد.
 

معادل انگلیسی : MRAM

مشاهده تامین کنندگان جستجو بر اساس مشخصات درباره حافظه مقاومتی مغناطیسی بیشتر بدانید
محل تبلیغات شما
سرویس تبلیغات تکصان
تبلغات مبتنی بر نوع بازدید کننده و محل بازدید
با ما در تماس باشید و تبلیغات هدف دار و هوشمند به مشتری اصلی را ارائه کنید.