مشخصات قابل جستجو در ترانزیستورهای اثر میدان اتصال (JFET)

ترانزیستورهای اثر میدان اتصال (JFET) از یک کانال نیمه هادی تشکیل شده اند که در آن عرض و رسانایی کانال توسط ناحیه شارژ فضا مرتبط با ناحیه pn کنترل می شود.