آرایه شبکه توپ پلاستیکی (PBGA) اصطلاح کلی برای بسته BGA است که از پلاستیک (ترکیب قالب‌گیری اپوکسی) به عنوان کپسوله استفاده می‌کند. طبق استاندارد JEDEC، PBGA به ضخامت کلی بیش از 1.7 میلی متر اشاره دارد.

آرایه شبکه توپی نواری (TBGA) از یک بستر ریز پلی آمیدی استفاده می کند و عملکرد حرارتی خوبی را با تعداد پین بالا ارائه می دهد.

آرایه شبکه سوپر توپ (SBGA) یک بسته BGA با قدرت بالا با مشخصات بسیار کم ارائه می دهد. با SGBA، آی سی به طور مستقیم به یک هیت سینک مسی متصل می شود. از آنجایی که آی سی و ورودی/خروجی در یک طرف قرار دارند، مسیرهای سیگنال حذف می شوند و بهبود قابل توجهی در عملکرد الکتریکی (القایی) ایجاد می کنند.

آرایه شبکه زمینی ریز گام (FLGA) بسیار فشرده و سبک است و برای درایوهای دیسک مینیاتوری و دوربین های دیجیتال مناسب است.

بسته های چهارگانه تخت (QFP) حاوی تعداد زیادی سرنخ ریز، انعطاف پذیر و به شکل بال مرغان هستند. عرض سرب می تواند به کوچکی 0.16 میلی متر باشد. گام سرب 0.4 میلی متر است. QFP ها قابلیت اطمینان سطح دوم خوبی را ارائه می دهند و در پردازنده ها، کنترلرها، ASIC ها، DSP ها، آرایه های گیت، منطق، آی سی های حافظه، چیپست های رایانه شخصی و سایر برنامه ها استفاده می شوند.

بسته چهارگانه تخت کم (LQFP).

بسته چهارگانه تخت نازک (TQFP).

بسته بندی تخت چهارگانه پلاستیکی (PQFP).

بسته طرح کوچک (SOP)

مدار مجتمع طرح کلی کوچک (SOIC).

بسته طرح کوچک نازک (TSOP) نوعی بسته DRAM است که از سرنخ های بال مرغانی در هر دو طرف استفاده می کند. TSOP DRAM مستقیماً روی سطح برد مدار چاپی نصب می شود. مزیت پکیج TSOP این است که ضخامت آن یک سوم پکیج SOJ است. اجزای TSOP معمولاً در برنامه های کوچک DIMM و حافظه کارت اعتباری استفاده می شوند. بسته طرح کوچک نازک ممکن است نوع I یا نوع II باشد.

بسته طرح کوچک کوچک (SSOP).

بسته بندی L-leaded با طرح کلی کوچک نازک (TSSOP).

بسته طرح نازک بسیار کوچک (TVSOP).

Small outline J-lead (SOJ) شکل متداول بسته بندی DRAM روی سطح است. این یک بسته مستطیل شکل با سرب های J شکل در دو طرف بلند دستگاه است.

بسته بندی سرب مسطح کوچک با سینک حرارتی (HSOF).

حامل تراشه سربی پلاستیکی (PLCC).

حامل تراشه سرامیکی بدون سرب (LCCC).

بسته پلاستیکی دوگانه در خط (PDIP) به طور گسترده برای کاربردهای کم هزینه، درج دستی از جمله محصولات مصرفی، دستگاه های خودرو، منطق، آی سی های حافظه، میکرو کنترلرها، آی سی های منطق و قدرت، کنترل کننده های ویدئویی الکترونیک تجاری و مخابرات استفاده می شود.

پکیج سرامیکی دوگانه در خط (CDIP) از دو تکه سرامیک فشرده خشک تشکیل شده است که یک قاب سربی "تشکیل شده DIP" را احاطه کرده است. سیستم سرامیک / LF / سرامیک توسط شیشه فریت که در دماهای بین 400 تا 460 درجه سانتیگراد جریان دارد، به طور هرمتیک به هم متصل می شود.

بسته درون خطی (SIP).

بسته دوگانه درون خطی کوچک (SDIP).

بسته بندی خطی زیگزاگ کوچک (SZIP).

منطق ترانزیستور ترانزیستور (TTL) یک کلاس از مدارهای دیجیتالی است که از ترانزیستورهای پیوند دوقطبی (BJT)، دیودها و مقاومت ها ساخته شده است. قابل توجه است، زیرا پایه اولین فناوری مدار مجتمع نیمه هادی (IC) گسترده بود. تمام مدارهای TTL با منبع تغذیه 5 ولت کار می کنند. سیگنال های TTL زمانی که بین 0 ولت و 0.8 ولت نسبت به ترمینال زمینی بین 0 ولت و ولتاژ 0.8 ولت است، به صورت «کم» یا L و زمانی که بین 2 ولت و 5 ولت است «بالا» یا H تعریف می شوند. اولین دستگاه های منطقی طراحی شده از ترانزیستورهای دوقطبی به عنوان TTL استاندارد افزودن دیودهای شاتکی به کلکتور پایه ترانزیستور دوقطبی منطق شاتکی (S-TTL) نامیده شد. دیودهای شاتکی تأخیر انتشار در TTL را با جلوگیری از رفتن کلکتور به چیزی که "اشباع عمیق" نامیده می شود، کوتاه می کند. سایر فناوری‌های TTL عبارتند از: Schottky کم مصرف (LS-TTL)، شاتکی پیشرفته (AS-TTL)، Schottky پیشرفته کم مصرف (ALS-TTL) و TTL کم ولتاژ (LVTTL).

فن‌آوری پیشرفته شاتکی TTL (FAST) Fairchild در اواخر سال 1970 ایجاد شد، زمانی که پیشرفت‌ها در فناوری IC اجازه داد سرعت و درایو S-TTL با قدرت پایین‌تر LS-TTL ترکیب شود تا منطق جدیدی شکل بگیرد. یک خانواده پیشرفته مرتبط FASTr است که سریعتر از FAST است، توانایی رانندگی بالاتری دارد (I OL ، I OH ) و صدای بسیار کمتری تولید می کند. "r" در FASTr به درجه های مختلف سرعت مانند A، B و C اشاره دارد که در آن علامت "A" به معنای سرعت کم و "C" به معنای سرعت بالا است.

منطق نیمه هادی اکسید فلزی مکمل (CMOS) از ترکیبی از ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلزی-نیمه هادی نوع p و نوع n (MOSFET) برای پیاده سازی گیت های منطقی و سایر مدارهای دیجیتال موجود در رایانه ها، مخابرات و تجهیزات پردازش سیگنال استفاده می کند. این فناوری انتخابی برای بسیاری از مدارهای مجتمع دیجیتال امروزی است. CMOS 4000 به سری 4000 اشاره دارد که CMOS واقعی با سطوح غیر TTL است.

فناوری CMOS FAST (FCT) در سال 1986 معرفی شد. با این فناوری شکاف سرعت بین CMOS و TTL بسته شد. از آنجایی که FCT نسخه CMOS FAST است، مصرف انرژی پایینی نسبت به CMOS دارد اما سرعت آن قابل مقایسه با TTL است. نسخه های پیشرفته استاندارد FCT FCTx و FCTx-T هستند. x در FCTx و FCTx-T به درجه های مختلف سرعت، مانند A، B و C اشاره دارد، که در آن علامت "A" به معنای سرعت کم و "C" به معنای سرعت بالا است.

فناوری CMOS با سرعت بالا (HCMOS) با نام HC / HCT نیز شناخته می شود. چندین ویژگی اصلی فناوری HCMOS وجود دارد: CMOS پرسرعت (HC)، CMOS پرسرعت با ورودی TTL (HCT)، CMOS پیشرفته با سرعت بالا (AHC) و CMOS پیشرفته با سرعت بالا با ورودی‌های TTL (AHCT).

Advanced CMOS یک نسخه با سرعت بسیار بالاتر از HCMOS است. همچنین به عنوان AC / ACT شناخته می شود. فناوری پیشرفته CMOS در انواع مختلفی ارائه می شود: CMOS پیشرفته استاندارد (AC)، CMOS پیشرفته با ورودی های TTL (ACT)، CMOS پیشرفته با خروجی های بی صدا (ACQ)، CMOS پیشرفته با ورودی های TTL و خروجی های بی صدا (ACTQ)، ولتاژ پیشرفته فوق العاده پایین. CMOS (AUC)، CMOS پیشرفته بسیار کم توان (AUP)، CMOS با ولتاژ بسیار پایین پیشرفته (AVC)، HCMOS ولتاژ پایین پیشرفته (ALVC) و CMOS ولتاژ پایین پیشرفته با نگه داشتن اتوبوس (ALVCH). ACQ / ACTQ نسل دوم CMOS پیشرفته با نویز بسیار کمتر هستند. در حالی که ACQ دارای سطح ورودی CMOS است، ACQT به ورودی سطح TTL مجهز است.

چندین فناوری CMOS ولتاژ پایین وجود دارد: ولتاژ پایین استاندارد (LV)، ولتاژ پایین HCMOS با کارایی بالا (LVC)، فناوری CMOS ولتاژ پایین با ورودی‌های TTL (LVT)، ولتاژ پایین با ورودی‌های TTL و امپدانس بالا (LVTC)، ولتاژ پایین پیشرفته. CMOS با نگهدارنده اتوبوس (ALVCH)، CMOS ولتاژ پایین که با 3 ولت یا 5 ولت (LCX) و CMOS ولتاژ پایین که با 1.8 ولت یا 3.6 ولت (VCX) کار می کند.

BiCMOS یک فناوری SiGe Bipolar است که سرعت بالای TTL دوقطبی را با مصرف انرژی کم CMOS ترکیب می‌کند. تعدادی طعم BiCMOS از جمله فناوری پیشرفته BiCMOS (ABT)، فناوری پیشرفته BiCMOS با منطق فرستنده گیرنده پیشرفته (ABTE)، BiCMOS ولتاژ پایین پیشرفته (ALB)، فناوری پیشرفته BiCMOS ولتاژ پایین (ALVT)، BiCMOS با ورودی های TTL ( BCT)، BiCMOS با منطق پشتی و فرستنده گیرنده (BTL) و فناوری BiCMOS ولتاژ پایین (LVT).

منطق جفت شده امیتر (ECL) از ترانزیستورها برای هدایت جریان از طریق دروازه هایی که توابع منطقی را محاسبه می کنند، استفاده می کند. در مقایسه، TTL و خانواده‌های مرتبط از ترانزیستورها به عنوان سوئیچ دیجیتال استفاده می‌کنند، جایی که ترانزیستورها بسته به وضعیت مدار یا قطع یا اشباع می‌شوند. این تمایز مزیت اصلی ECL را توضیح می‌دهد: از آنجایی که ترانزیستورها همیشه در منطقه فعال هستند، می‌توانند به سرعت تغییر حالت دهند، بنابراین مدارهای ECL می‌توانند با سرعت بسیار بالا کار کنند. و همچنین عیب اصلی آن: ترانزیستورها به طور مداوم جریان می کشند، به این معنی که مدارها به توان بالایی نیاز دارند و در نتیجه مقادیر زیادی گرمای اتلاف تولید می کنند. گیت های ECL از تنظیمات تقویت کننده دیفرانسیل در مرحله ورودی استفاده می کنند. یک پیکربندی بایاس ولتاژ ثابتی را در وسط سطوح منطقی پایین و بالا به تقویت کننده دیفرانسیل می دهد، به طوری که تابع منطقی مناسب ولتاژهای ورودی تقویت کننده و پایه ترانزیستور خروجی را کنترل می کند. زمان انتشار این آرایش می تواند کمتر از یک نانوثانیه باشد. سایر ویژگی های قابل توجه خانواده ECL شامل این واقعیت است که نیاز جریان زیاد تقریباً ثابت است و به طور قابل توجهی به وضعیت مدار بستگی ندارد. این بدان معناست که مدارهای ECL نویز نسبتاً کمی تولید می‌کنند، برخلاف بسیاری از انواع منطقی دیگر که معمولاً هنگام سوئیچ کردن جریان بسیار بیشتری نسبت به حالت خاموش می‌گیرند، که برای آن نویز برق می‌تواند مشکل ساز شود. مدارهای ECL با منابع تغذیه منفی و سطوح منطقی ناسازگار با سایر خانواده ها کار می کنند، که به این معنی است که عملکرد متقابل بین ECL و سایر طرح ها دشوار است. این واقعیت که سطوح منطقی بالا و پایین نسبتا نزدیک هستند به این معنی است که ECL از حاشیه های نویز کوچک رنج می برد که در برخی شرایط می تواند دردسرساز باشد.

منطق تزریق یکپارچه (I2L) بر اساس منطق ترانزیستور دوقطبی است. معمولاً به آن "I-square-L" گفته می شود.

سیلیکون روی یاقوت کبود (SOS) یک فرآیند هترو-اپیتاکسیال است که در آن یک لایه نازک از سیلیکون روی ویفر یاقوت کبود (Al 2 O 3 ) "رشد" می شود. SOS بخشی از خانواده سیلیکون روی عایق (SOI) از فناوری‌های CMOS است. SOS در درجه اول در کاربردهای نظامی و فضایی به دلیل مقاومت ذاتی آن در برابر تشعشع استفاده می شود. به دلیل مشکلات در ساخت ترانزیستورهای بسیار کوچک مورد استفاده در کاربردهای مدرن با چگالی بالا، تا به امروز کاربرد تجاری کمی داشته است. به طور مشکل ساز، فرآیند SOS اغلب منجر به ایجاد نابجایی از نابرابری های شبکه کریستالی بین یاقوت کبود و سیلیکون می شود. این منجر به ویفرهای غیرقابل استفاده می شود و هزینه تولید را بالا می برد.

آرسنید گالیم (GaAs) یک نیمه رسانای ترکیبی است که قدرت دو عنصر گالیم (Ga) و آرسنیک (As) را مخلوط می کند. گالیوم محصول جانبی ذوب فلزات دیگر، به ویژه آلومینیوم و روی است و کمیاب تر از طلا است. آرسنیک کمیاب نیست، اما سمی است. آرسنید گالیم کاربردهای زیادی دارد از جمله استفاده در برخی از دیودها، ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) و مدارهای مجتمع (IC). اجزای GaAs در فرکانس های رادیویی فوق العاده بالا و در برنامه های سوئیچینگ الکترونیکی سریع مفید هستند. دستگاه های GaAs نویز کمتری نسبت به سایر انواع اجزای نیمه هادی تولید می کنند و در نتیجه در کاربردهای تقویت سیگنال ضعیف مفید هستند. آرسنید گالیم در ساخت دیودهای ساطع نور (LED) استفاده می شود که در ارتباطات نوری و سیستم های کنترل یافت می شود. آرسنید گالیم می تواند جایگزین سیلیکون در ساخت آی سی های خطی و دیجیتال شود. دستگاه های دیجیتال برای سوئیچینگ الکترونیکی و همچنین در سیستم های کامپیوتری استفاده می شوند.

فناوری Crossbar (CBT) یک رابط باس را قادر می‌سازد تا به عنوان یک سوئیچ اتوبوس بسیار سریع عمل کند، گذرگاه را در هنگام باز بودن سوئیچ ایزوله می‌کند و تاخیر بسیار کمی را هنگام بسته شدن سوئیچ ارائه می‌دهد. باز کردن سوئیچ باعث ایزوله شدن مدار (امپدانس بالا) می شود. بستن سوئیچ تاخیر انتشار نزدیک به صفر را از طریق مقاومت 5 اهم ایجاد می کند. فناوری سوئیچ اتوبوس در دستگاه های منطقی قابل برنامه ریزی (PLD) برای بهبود عملکرد استفاده می شود. به طور معمول، دستگاه های CBT از 4.5 ولت تا 5.0 ولت کار می کنند. CBT همچنین به عنوان سوئیچ سریع (QS)، فناوری سوئیچ سریع (FST)، یا رابط Pericom (PI5C) شناخته می شود.

منطق فرستنده و گیرنده تفنگی (GTL) استانداردی برای سیگنال های الکتریکی در مدارهای CMOS است که برای ارائه سرعت های انتقال داده بالا با نوسانات ولتاژ کوچک استفاده می شود.

تراشه با -5 ولت کار می کند.

تراشه با -4.5 ولت کار می کند.

تراشه با -3.3 ولت کار می کند.

تراشه با -3 ولت کار می کند.

تراشه با ولتاژ 1.2 ولت کار می کند.

تراشه با ولتاژ 1.5 ولت کار می کند.

این تراشه با ولتاژ 1.8 ولت کار می کند.

تراشه با 2.5 ولت کار می کند.

تراشه با ولتاژ 3 ولت کار می کند.

این تراشه با ولتاژ 3.3 ولت کار می کند.

این تراشه با ولتاژ 3.6 ولت کار می کند.

تراشه با ولتاژ 5 ولت کار می کند.

حافظه آدرس پذیر محتوا (CAM).

حافظه First in, first out (FIFO) در بافر کردن برنامه‌های کاربردی بین دستگاه‌هایی که با سرعت‌های مختلف کار می‌کنند یا در برنامه‌هایی که داده‌ها باید به طور موقت برای پردازش بیشتر ذخیره شوند، استفاده می‌شود.

حافظه آخرین ورودی، اولین خروجی (LIFO).

حافظه دسترسی تصادفی (RAM) را می توان به صورت غیر خطی از روی آن خواند یا نوشت. RAM نام خود را از این واقعیت گرفته است که به هر بایت حافظه می توان به جای متوالی به طور تصادفی دسترسی داشت. رم در صورت قطع برق، داده ها را در حافظه نگه نمی دارد.

حافظه فقط خواندنی (ROM) حاوی داده های از پیش برنامه ریزی شده است و یا غیر قابل تغییر است یا برای بازنویسی به عملیات خاصی نیاز دارد. رام در صورت قطع برق، داده ها را در حافظه نگه می دارد. یک ماده حساس به نور برای حفظ الگوی بیت مورد نیاز حک می شود.