پراش سنج ها از پرتوهای گاما برای مطالعه ساختارهای کریستالی استفاده می کنند.

پراش سنج ها از نوترون ها برای مطالعه ساختارهای کریستالی استفاده می کنند.

پراش سنج ها از اشعه ایکس برای مطالعه ساختارهای کریستالی استفاده می کنند. این دستگاه ها با اشعه ایکس، تابش الکترومغناطیسی با طول موج های 0.1 تا 10 نانومتر به جامدات و گازهای یونیزه کننده نفوذ می کنند.

سایر انواع موج های فهرست نشده

صفحات یا فویل های تصویربرداری یک حسگر تصویر تشعشع فیلم هستند که بر اساس لومینسانس تحریک شده با عکس (PSL) است. این آشکارسازها از فسفرهایی با طراحی خاص تشکیل شده اند که انرژی تشعشع را به دام می اندازند و ذخیره می کنند. این انرژی ذخیره شده تا زمانی که با یک پرتو لیزر اسکن نشود، پایدار است، که انرژی را به عنوان یک سیگنال لومینسانس آزاد می کند که با یک آشکارساز نوری (به عنوان مثال، لوله مولتی پلایر نوری) جمع آوری می شود.

آشکارسازهای حساس به موقعیت (PSD) نوعی شمارنده متناسب هستند که از یونیزاسیون گاز و فرآیند بهمن الکترونی موضعی برای تقویت سیگنال از اشعه ایکس شناسایی شده استفاده می‌کنند. هر دو نوع PSD خطی (1D) و منطقه ای (2D) موجود است. PSD های خطی از یک سیم ریز برای جمع آوری شدت در یک محدوده زاویه ای به طور همزمان استفاده می کنند. آنها مزایای سرعتی تا صد برابر آشکارساز نقطه ای (سوزن و حالت جامد) ارائه می دهند. آشکارساز خطی PSD ممکن است در محدوده 5 تا 10 درجه 2 تتا ثابت نگه داشته شود یا مانند آشکارساز نقطه ای در محدوده بزرگتر اسکن شود. سرعت این آشکارساز برای توان بالای نمونه، مطالعات زمان بندی شده، مواد با پراش ضعیف و تشخیص فازهای جزئی مفید است.

آشکارسازهای حالت جامد یا نیمه هادی شدت پراش را از یک زاویه در یک زمان جمع آوری می کنند و در محدوده زاویه ای مورد نظر اسکن می شوند. این آشکارسازها قدرت تفکیک انرژی یک تک رنگ پرتو پراش را بدون افت شدت مرتبط فراهم می‌کنند و یک مزیت سرعتی سه تا چهار برابری نسبت به آشکارساز سوسوزن و تک رنگ دارند. انواع مختلفی از آشکارسازهای حالت جامد وجود دارد. مثال‌ها عبارتند از: ژرمانیوم، Si (Li) (سیلیکون با لیتیوم)، CCD (دستگاه همراه با شارژ)، PDA (آرایه دیود عکس)، PIPS (سیلیکون مسطح کاشته‌شده غیرفعال)، و SSB (سد سطح سیلیکون). آشکارسازهای نیمه هادی معمولاً برای بهبود نسبت سیگنال به نویز به خنک کننده برودتی نیاز دارند.

آشکارسازهای سوسوزن متشکل از یک کریستال فلورسنت (به عنوان مثال، NaI، سوسوزن های پلاستیکی) هستند که به انتهای یک لوله فوتو ضربی متصل شده اند. آشکارسازهای سوسوزن شدت پراش را از یک زاویه در یک زمان جمع‌آوری می‌کنند و در محدوده زاویه‌ای مورد نظر اسکن می‌شوند. آنها ممکن است با فیلترهای Kbeta یا با تک رنگ پرتوهای پراش استفاده شوند.

انواع آشکارسازهای دیگر مانند شمارشگرهای گایگر یا شمارشگرهای متناسب جریان گاز.

الگوهای پراش از یک کریستال منفرد با استفاده از پرتو تابش اشعه ایکس سفید تولید می شود. محدوده طول موج در تابش اشعه ایکس سفید تضمین می کند که شرایط پراش برآورده می شود.

در روش کریستال دوار، تک کریستال می چرخد و با پرتوهای تک رنگ پرتو ایکس تابش می شود. همانطور که کریستال می چرخد، یک سری صفحات شبکه به شرایط پراش وارد می شوند و الگوی پراش با فیلم یا آشکارساز جمع آوری می شود. روش کریستال دوار در تعیین ساختار مواد ناشناخته (بدون اثر انگشت منطبق) و برای ارائه یک تعیین صریح ابعاد سلول واحد استفاده می شود.

سایر تغییرات فهرست نشده روش های پایه (لنگ، بورمن، منحنی های تکان دهنده، پراش سنج، و غیره) را می توان برای مطالعات کیفیت/کمال کریستال، توپوگرافی، بافت یا تنش پسماند به کار برد.

گهواره های اویلرین واحدهای موقعیت یابی چرخشی هستند که محور چرخش در خارج از بدنه واحد قرار دارد. این گهواره ها از یک طرح باز و استوانه ای تشکیل شده اند که در آن نمونه یا گونیا بر روی سطح داخلی گهواره نصب می شود. ترکیبی از گهواره و گونیا می تواند یک پراش سنج 4 دایره ای تولید کند.

مراحل ترجمه، مراحل تعیین موقعیت خطی هستند که امکان ترجمه نمونه، گونیا، گهواره یا آشکارساز را در امتداد محور X، Y و/یا Z فراهم می کنند.

سایر مراحل ساده یا نگهدارنده‌های نمونه برای روش پودری یا پوزیشنرهای رباتیک.

مجموعه‌ای از شکاف‌ها، شکاف‌های پیشرو، شکاف‌های واگرایی و غیره، یک تیر موازی با واگرایی زاویه‌ای کمتر تولید می‌کنند. آنها ممکن است در پرتو فرود یا پراش استفاده شوند.

فیلترهای جذبی از ویژگی های لبه جذب اشعه ایکس یک ماده برای فیلتر کردن پیک K-بتا و مقداری تابش سفید از یک پرتو فرودی برای تولید یک پرتو تک رنگ تری از تابش استفاده می کنند.

سایر موارد ذکر نشده

پراش سنج ها برای کاربردهای میدانی مانند آنالیز تنش پسماند قابل حمل هستند.

بافت یا جهت گیری کریستالی ترجیحی دانه های منفرد (کریستالیت ها) در یک نمونه پلی کریستالی معمولاً از طریق تعیین و تجزیه و تحلیل نمودارهای شکل قطب اندازه گیری می شود.

ابزارها قادر به اندازه گیری اندازه ذرات یک نمونه پودر یا اندازه دانه یک ماده پلی کریستالی هستند.

تکنیک هایی که امکان تعیین جهت صفحات کریستالوگرافی را در یک نمونه تک کریستالی فراهم می کند. این روش برای صنعت نیمه هادی که از بسترهای سیلیکونی تک کریستالی (ویفر) با جهت کریستالوگرافی شناخته شده استفاده می کند، مهم است. خواص مواد مانند سختی و سرعت اچ با جهت گیری تغییر می کند.

تنش پسماند باعث ایجاد کرنش یا تغییر شکل شبکه در نمونه و تغییر متناظر در فاصله شبکه می شود. تغییر در فاصله شبکه باعث جابجایی یا بزرگ شدن خطوط یا نقاط پراش می شود.

منحنی های گهواره ای، بازتاب سنجی، توپوگرافی، نقشه برداری فضای متقابل، میکرو پراش یا روش های دیگر در ارزیابی کیفیت کریستال یا سایر مطالعات با وضوح بالا استفاده می شود. توپوگرافی اشعه ایکس یا میکروسکوپ برای بررسی عیوب در ساختار کریستالی استفاده می شود. این عیوب یا عیوب کریستالی با شدت بیشتری منعکس می‌شوند و بنابراین مناطق تیره‌ای را روی توپوگرافی اشعه ایکس یا تصویر بازتابی ایجاد می‌کنند. منحنی‌های گهواره‌ای نشان‌دهنده زیردانه‌ها و زبری سطح در یک کریستال هستند. پراش میکرو از یک پرتو پرتو ایکس برخوردی کوچک با قطر کمتر از 100 میکرون برای بررسی نمونه‌های کوچک یا ناحیه خاصی از نمونه‌های بزرگتر استفاده می‌کند. رفلکتومتری از ضریب شکست لایه نازک یا مواد نیمه هادی برای ارائه دانسیته، زبری سطح، تنوع ترکیب، ضخامت سطحی، و ضخامت کلی لایه با قابلیت پروفایل عمقی از طریق فیلم استفاده می کند.

سایر موارد ذکر نشده