ترانزیستورهای دوقطبی قدرت (Power Bipolar Transistors)

ترانزیستورهای دوقطبی قدرت نیمه هادی هایی هستند که در آنها یک لایه پایه نوع n یا نوع p بین لایه های امیتر و کلکتور از نوع مخالف قرار می گیرد. اتصالات بین بخش های نیمه هادی سیگنال های الکتریکی ورودی ضعیف را تقویت می کند.