حافظه مقاومتی مغناطیسی
حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی مغناطیسی (MRAM) با استفاده از بارهای مغناطیسی، بیت های داده را ذخیره می کند. MRAM برای دستگاه های با چگالی بالا، سرعت بالا و غیر فرار طراحی شده است و پتانسیل جایگزینی حافظه DRAM و Flash (EEPROM) را دارد.
معادل انگلیسی حافظه مقاومتی مغناطیسی MRAM می باشد.
امکان فیلتر و جستجوی کالا و خدمات مورد نظر شما در این بخش قابل انجام است. شما می توانید با انتخاب پارامترهای ویژگیهای مورد نظر، برای دسته حافظه مقاومتی مغناطیسی جستجو کنید.
ویژگیها و مشخصات قابل جستجو می تواند شامل این موارد باشد :
برای هر دسته از ویژگیها، می توانید با تعیین یا انتخاب مقادیر زیر مجموعه آن، فیلتر و جستجوی دقیقی انجام دهید
تامین کنندگان (0)
کاتالوگ‌ها(0)
اطلاعات کسب و کار | تعداد کاتالوگ |
|---|---|
| داده‌ای موجود نیست | |