تجهیزات لایه نازک ( Thin Film Equipment )

ابزار اندازه گیری نیمه هادی برای بازرسی خطی ویفر و لایه نازک پس از پردازش نیمه هادی طراحی شده اند. آنها شامل گیج های خازنی، سیستم های C-V، پروب های پرتو الکترونی، بیضی سنج ها، تداخل سنج ها، سیستم I-V، مغناطیس سنج ها، سیستم های نوری، پروفیلومترها، بازتاب سنج ها، پروب های مقاومت، سیستم های RHEED و پراش اشعه ایکس هستند.

ابزارها و تجهیزات خوشه نیمه هادی برای پردازش ویفرهای نیمه هادی برای تولید قطعات میکروالکترونیک استفاده می شود.

تجهیزات پردازش MEMS برای ایجاد سنسورها و ویفرهای سیستم های میکرو الکترومکانیکی (MEMS) استفاده می شود.

تجهیزات فیلم نازک از پردازش خلاء برای اصلاح سطوح با استفاده از CVD، PVD، اچ پلاسما، و اکسیداسیون حرارتی یا کاشت یون استفاده می‌کنند.

مانیتورهای لایه نازک برای تجزیه و تحلیل و/یا کنترل میزان رسوب لایه نازک، ترکیب و خواص استفاده می شود.

منابع لایه نازک شامل مگنترون ها، واحدهای حرارتی تبخیر، پرتوهای یونی و سایر منابعی هستند که مواد رسوبی (بخارها یا یون ها) را در یک سیستم لایه نازک تولید می کنند.